BORNE ESCAMOTABLE SEMI-AUTOMATIQUE BRASILIA

Bornes escamotables semi-automatiques haut de gamme conçus pour une utilisation manuelle, avec une grande résistance aux chocs.

Borne semi-automatique construit avec structure tubulaire (tige) en fer galvanisé à chaud, châssis tubulaire construit en acier galvanisé à chaud, couvercle de châssis en fer galvanisé à chaud.

Potelets semi-automatiques idéales pour les communes, les consulats, les banques, les centres commerciaux, les boutiques de luxe,...

CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES POTELETS SEMI-AUTOMATIQUES

• Système d'entraînement utilisant un piston à gaz de haute qualité qui permet à la borne de monter après avoir déverrouillé le mécanisme d'ancrage.
• Ouverture et fermeture : il dispose d'un trou dans le couvercle de la tige par lequel on accède au système de verrouillage avec la clé d'ouverture et de fermeture. Tige de verrouillage en acier inoxydable de 12 mm. Sa construction évite tout type d'usure et de corrosion, garantissant une longue durée de vie et un fonctionnement parfait.
• En insérant et en tournant la clé triangulaire, le système d'ancrage est déverrouillé, permettant à la borne de monter, restant verrouillée à son point le plus haut.
  En insérant et en tournant la clé triangulaire et en appuyant, la partie supérieure de la borne descend et se verrouille automatiquement une fois sa course terminée..
• Système coulissant de borne utilisant des guides intérieurs situés sur le châssis lui-même.
• Potence de borne avec système coulissant utilisant des glissières intérieures en inox 4 mm de chez épaisseur.
• Couvercle en acier inoxydable AISI 304 de 6 mm. d'Épaisseur sans saillie au-dessus du niveau de la route.
• Châssis construit en acier électrosoudé extrêmement robuste et doté de rails coulissants pour assurer un alignement et une concentricité parfaits de la borne.
• Mise en place par encastrement dans le béton . Obtenir une plus grande résistance aux impacts.
  
  
• Maintenance préventive minimale.

Borne semi-automatique conforme à la réglementation CE.